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MCR技术原理 MCR是利用附加直流电流励磁磁化电抗器铁心,通过调节铁心的磁饱和程度,改变铁心的磁导率,实现电抗值连续可调。在磁路结构即电抗器铁芯芯柱上(结构见右图),设置了由不饱和区域铁芯1和饱和区域铁芯2交错排列组成并联磁路;不饱和区域铁芯1吸收主磁通方向前后相邻或左右相邻的饱和区域铁芯2的漏磁通而形成漏磁自屏蔽;调节绕组3回路中可控硅4的触发导通角,控制附加直流励磁电流而励磁磁化铁芯;通过调整不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯的面积或磁阻,改变并联磁路 中不饱和区域铁芯的磁化程度和饱和区域铁芯的饱和程度,实现电抗值的连续、快速可调。 MCR技术特点 MCR在产品结构设计和制造工艺技术等方面,在采用磁路并联漏磁自屏蔽技术的同时,综合应用了大型变压器、超/特高压互感器、高压电容器、电力电子控制等先进制造技术。例如:铁芯采用磁密不饱和、对称分裂、交/值流磁路独立等设计方法;绕组采用自耦式、串并联连接、结构对称等设计方法;在整体结构方面采用全密封、免维护等设计和制造工艺术。通过这些技术措施,有效地减少了MCR自身的损耗、噪声和谐波含量,使MCR实现了结构合理、质量可靠、成本低性能先进、制造工艺成熟、运行稳定、免维护。MCR各项技术指标、技术特点和实现措施,见下表 |
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